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RUQ050N02
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
20
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
?
0.3
?
?
?
?
?
?
22
27
32
40
1
1.0
30
38
45
80
μ A
V
m Ω
m Ω
m Ω
m Ω
V DS = 20V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 5.0A, V GS = 4.5V
I D = 5.0A, V GS = 2.5V
I D = 2.5A, V GS = 1.8V
I D = 1.0A, V GS = 1.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
6.5
?
?
?
?
?
?
?
?
900
190
120
15
25
70
100
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 5.0A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 10V
I D = 2.5A
V GS = 4.5V
R L 4 Ω
R G =10 Ω
Total gate charge
Q g
?
?
12
?
nC
V DD
10V, I D = 5.0A
Gate-source charge
Q gs
?
?
2.5
?
nC
V GS = 4.5V
Gate-drain charge
Q gd
?
?
1.7
?
nC
R L
2 Ω, R G =10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 1.0A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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